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掌握MRAM的最新發展
PCB設計公司的Bill Wong與Everspin總裁兼首席執行官Kevin Conley討論了未來的通用存儲器MRAM。
磁阻RAM（MRAM）繼續取得長足發展，隨著容量和性能的提高，發現了更多用途。長期目標是建立通用的非易失性存儲器。它擁有不斷發展的合作伙伴生態系統，包括主要晶圓廠的支持。
電子設計編輯Bill Wong曾與Kevin Conley，總裁兼首席執行官EverSpin的技術，對MRAM的狀態以及它作為通用存儲器技術可行性。
MRAM是更昂貴的持久性內存。它提供什么價值來證明其價格標簽合理？比什么還貴？
Toggle MRAM與其他低密度持久性內存技術相比在價格上具有競爭力，而STT-MRAM確實沒有等效技術可提供相同水平的耐用性，性能和持久性。MRAM結合了持久性，性能和耐用性的獨特價值主張，達到了任何其他存儲技術都無法企及的程度，再加上無可挑剔的可靠性和易操作性（字節可尋址性，無需耗損均衡等）。MRAM簡化了系統架構，其中在發生斷電時對數據進行保護至關重要，從而消除了對電池和超級電容器等可靠性較低的電力存儲的需求。
通常將STT-MRAM與DRAM進行逐位成本比較，并稱其為昂貴，但需要認識到STT-MRAM通常不用于代替DRAM。STT-MRAM的經濟效益是減少了不可靠的電容器或電池的使用，增加了其他存儲技術（例如，SSD或AFA中的NAND存儲器）的可用物理空間，并有助于在較短的時間內實現更高性能的產品時間框架通過更簡單的架構。所有這些價值驅動因素可幫助我們的客戶在其產品中獲得更多價值，從而抵消了集成我們的MRAM存儲器所產生的任何費用。
您提到您已經在1-Gb離散STT-MRAM上達到量產，現在有幾個生態系統控制器合作伙伴已簽約啟用該設備。為什么合作伙伴對支持1-Gb STT-MRAM感到如此興奮？
更高的密度允許企業SSD等應用程序使用更少的芯片來實現其系統目標。隨著存儲外形尺寸和尺寸的不斷減小，電路板空間和系統冷卻變得越來越關鍵，從而進一步需要更高密度的芯片。 低延遲和高性能的這些目標對于大型數據中心操作非常重要，尤其是當具有延遲的QLC存儲器（明顯高于當前存儲器）開始在領先的存儲應用中被更普遍地采用時。此外，1-Gb設備的基于DDR4的接口比256-Mb的DDR3更流行，這使得1-Gb在當今的體系結構中更具適應性。
由于Everspin是離散MRAM的供應商，您的競爭對手在進入這一領域做了什么？
一些公司試圖跟著我們生產離散的MRAM存儲器，但是它們在產品成熟度和密度上卻明顯落后。當今，我們不知道有其他任何公司正在生產分立的MRAM產品。盡管競爭對手正在營銷他們打算制造的未來技術，但到目前為止，我們所知道的針對千兆密度范圍的產品還一無所知。
從歷史上看，越來越多的公司投資于MRAM研究。 一些嘗試沒有成功，努力已經停止或縮減，只是為了維持生命，而另一些嘗試則專門轉移到了嵌入式MRAM上。
嵌入式MRAM無疑是對MRAM作為普遍的存儲技術的驗證。誰來負責這項工作，Everspin如何幫助嵌入式MRAM市場？
邏輯代工廠需要一種技術來取代SoC嵌入式NOR閃存作為非易失性代碼存儲，并面臨無法有效擴展（成本）和增加功率的SRAM的挑戰。MRAM具有比NOR閃存更易集成的非易失性，并且具有低泄漏的擴展路徑，使其成為SRAM的邏輯后繼產品。所有主要代工廠都已與臺積電，三星，英特爾和GF宣布了MRAM計劃（TSMC，三星，英特爾，GLOBALFOUNDRIES / GF，UMC），宣布生產準備就緒或出貨。Everspin與GF達成了許可協議并建立了牢固的合作伙伴關系，并共同幫助開發了其22納米嵌入式MRAM產品。
STT-MRAM和Toggle的新發展是什么？
STT-MRAM產品繼續擴大規模并增加密度。Everspin現在提供1 Gb內存，具有10年的數據保留能力，具有DDR4兼容接口和類似DRAM的速度。為了響應客戶對更高密度的需求，我們在Toggle上推出了流行的16 Mb產品的32 Mb版本?，F在，客戶在包括汽車在內的所有溫度范圍內都具有從128 kb到32 Mb的MRAM Toggle選項。STT和Toggle服務于獨特的市場，我們將繼續開發兩種技術的產品，以服務于現有和新客戶。
時刻掌握通用存儲器的發展，對PCB設計和電子電路設計提供新的思路，更有利于電子行業的發展。